RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
52
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
26
Velocità di lettura, GB/s
9.7
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
3866
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link