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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
52
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
38
Velocità di lettura, GB/s
9.7
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
3005
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB Confronto tra le RAM
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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