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Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
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Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
46
52
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
46
Velocità di lettura, GB/s
9.7
11.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
2396
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
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Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
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