RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
52
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
14900
Intorno 1.29 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
36
Velocità di lettura, GB/s
9.7
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
19200
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
2474
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905744-006.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link