RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Confronto
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.7
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
14900
Intorno 1.43 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
9.7
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
21300
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2173
2846
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB Confronto tra le RAM
Team Group Inc. Dark-1866 4GB
Mushkin 994104 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Jinyu 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link