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Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Confronto
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
22
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
17.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
19
22
Velocità di lettura, GB/s
18.2
17.8
Velocità di scrittura, GB/s
12.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3282
3115
Samsung M391B1G73BH0-YH9 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B1G73BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
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