RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Confronto
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
35
Intorno 23% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
35
Velocità di lettura, GB/s
13.4
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2275
2701
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link