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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Confronto
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
73
Intorno 63% latenza inferiore
Motivi da considerare
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
73
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2275
1843
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB5285282666 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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