RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
25
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3729
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3000C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology C 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link