RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
60
Intorno 57% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
60
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2554
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link