RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R7S48G2400U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
74
Intorno 65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
74
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1774
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link