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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs AMD R9S48G3206U2S 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
37
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3518
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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