RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3137
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link