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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
26
Intorno -30% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
20
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3326
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
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