RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2947
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link