RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3110
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB Confronto tra le RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link