RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno 7% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
23400
10600
Intorno 2.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
28
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
23400
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3491
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CM4X16GE2133C13K8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72AZ-2G3B1 8GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link