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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3500
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
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