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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
26
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
21
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2950
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBD2 4GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
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