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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3271
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
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