RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
76
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.3
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
76
Velocità di lettura, GB/s
12.8
13.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1513
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KF9 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link