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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3364
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
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