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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2437
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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