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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3832
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFT 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
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