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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.6
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
16.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
4084
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
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