RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3574
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link