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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
27
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3956
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9905622-057.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
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