RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
26
Intorno -18% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
22
Velocità di lettura, GB/s
12.8
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
4014
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link