Confronto tra le RAM Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Punteggio complessivo

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

26 83

Intorno 69% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

9.0 7.8

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.3 12.8

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

17000 10600

Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2143 1752

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns