RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
32
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
32
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3208
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link