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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
29
Intorno 10% latenza inferiore
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
29
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3291
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XN205T-MIE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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