RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
26
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
24
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3049
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston KHX3200C20S4/16G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link