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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
77
Intorno 66% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
77
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1688
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
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Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
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Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
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