RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
37
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2808
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kllisre KRE-D3U1333M/8G 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link