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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
40
Intorno 35% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
40
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2972
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLT16G4D30BET4.C16FD 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
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