RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno 30% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
37
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3131
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Segnala un bug
×
Bug description
Source link