RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
34
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
34
Velocità di lettura, GB/s
12.8
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3243
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link