RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
30
Intorno 13% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.3
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
30
Velocità di lettura, GB/s
12.8
17.3
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
16.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3637
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston X0N6VG-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link