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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
51
Intorno 49% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
9.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
51
Velocità di lettura, GB/s
12.8
9.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2314
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
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