RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3035
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-518.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link