RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2417
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GTZRX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link