Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    26 left arrow 30
    Intorno 13% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    18 left arrow 12.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    14.3 left arrow 9.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    26 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.8 left arrow 18.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 14.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2143 left arrow 3466
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti