RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
33
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
33
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2687
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Micron Technology 8KTF25664HZ-1G4M1 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4133C19 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2400C14 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link