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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
12.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2183
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
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