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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
47
Intorno 45% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
47
Velocità di lettura, GB/s
12.8
11.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2537
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
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