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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.8
9.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
7.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
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Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
12.8
9.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
1927
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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