RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
36
Intorno 28% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
36
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2814
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link