RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
35
Velocità di lettura, GB/s
12.8
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
3127
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link