RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
26
Velocità di lettura, GB/s
12.8
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2544
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM8G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3333C16 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link