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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Confronto
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Motivi da considerare
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
26
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
25
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2143
2489
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3400C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
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